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一种新颖的平面半导体激光器

2002年 应用技术
  • 成果简介
在直流负偏压120V作用下，利用射频溅射和光刻剥离技术在InGaAsP/InP双异质结结构外延片表面淀积110nm厚的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条。实验测得W0.95Ni0.05金属薄膜应变条边缘单位长度产生9.7x105dyn/cm的压应变力。理论研究表明在这压应变力作用下，2微米宽的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条在InGaAsP/InP双异质结结构内0.2至2微米深度范围...
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