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亚0.1微米统一的体硅和SOI MOSFET SPICE模型的研究

2002年

应用技术

成果简介

项目针对SPICE和BSIM电路模拟程序中超深亚微米MOSFET模型的不足之处，建立了基于物理的超深亚微米MOSFET的量子化效应模型、精确的亚阈区电容－电压模型、超深亚微米MOSFET沟道载流子迁移率模型、寄生二极管和三极管的模型、MOSFET的温度特性模型、SOI器件的击穿电压模型。在上述物理模型的基础上，用非线性电阻的方法，建立了超深亚微米体硅MOSFET和SOI MOSFET统一的...

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