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新型同质结内发射远红外探测器的物理与器件研究

2001年 应用技术
  • 成果简介
新型同质结内发射远红外探测器的物理和器件研究 半导体远红外探测器在红外和亚毫米波段(30-1000微米)的天体物理研究上具有广泛的应用前景。但是由于材料特性的限制，目前硅基非本征半导体红外探测器的截止波长最长也只有40微米。本项目利用新型同质结远红外探测的概念，在实现高质量GaAs和Si远红外探测器薄膜材料分子束外延生长的基础上，通过一系列光电特性实验研究、探测器器件特性研究与理论模型分析...
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