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用液相外延技术制备极低缺陷密度的Si/SiO2SOI结构

2001年

应用技术

成果简介

本项目用挤压法和浸渍法液相外延技术在硅片上生长SOI结构；利用高纯金属熔体吸除硅片中的有害金属杂质；利用在光刻窗口上选择性液相外延制备微型硅部件；对生长的SOI结构用多种测试手段进行了表征，本项目主要取得以下成果：1、通过液相外延横相生长技术获得了质量较好的SOI结构；2、利用高纯金属熔体成功地降低了硅片中的金属杂质；3、利用光刻窗口限制生长区域，制备了可用于微机械的微型硅部件；4、制备并...

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