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高能中子引起的瞬时电离辐射效应的蒙特卡罗模拟研究

2004年 应用技术
  • 成果简介
空间辐射和核辐射环境中，高能中子能导致存储器发生瞬时辐射效应而给出错误的记录信息，此错误是瞬时、随机、非一再发生、单个灵敏单元的出错。本项目是为克服此错误而设立。本项目利用蒙特卡罗方法模拟高能中子引起存储器单粒子翻转过程，给出其内部随机过程详细描述，为深入了解单粒子翻转提供信息。基于对10～100MeV中子引起单粒子翻转的调研，对10～20MeV中子引起16K存储器（临界电荷分别为0.05...
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