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一种替代栅的制备方法

2005年 应用技术
  • 成果简介
本发明属于超深亚微米及以下特征尺寸半导体器件制备方法，特别涉及用于超深亚微米金属栅CMOS制造的一种替代栅制备技术。用金属作栅电极，可以从根本上消除栅耗尽效应和硼穿透现象，同时获得非常低的栅电极薄层电阻。本发明采用嵌入式金属栅CMOS工艺（即替代栅制备工艺）实现了一种新颖的金属栅CMOS技术。在这种嵌入式金属栅CMOS工艺中，主要关键技术之一是一套替代栅的制备技术，它包括替代栅材料的选取，...
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