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异质结双极晶体管T型发射极金属图形制作方法的改进

2006年 应用技术
  • 成果简介
本发明涉及半导体器件及集成电路制造工艺中化合物半导体异质结双极晶体管的发射极/基极金属图形自对准的制作方法。采用包括等离子体辅助化学气相沉积、光刻机、刻蚀机、金属蒸发设备和浸泡剥离设备，其特点是先在化合物半导体外延片的表面淀积SiO_2/Si_3N_4两层介质层，再在其上涂负性光刻胶；然后在负性光刻胶上光刻出发射极窗口图形，再用反应离子刻蚀或感应耦合等离子体刻蚀设备将发射极窗口图形处的介质...
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