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一种高迁移率各向异性有机场效应管的制备方法

2006年 应用技术
  • 成果简介
本发明涉及有机半导体器件领域，一种结合干法刻蚀技术的制备图形化衬底高迁移率各向异性有机场效应管的方法，首先沉积生长第一层有机半导体薄膜，然后通过氧气等离子体干法刻蚀技术把设计好的图形转移到第一层有机薄膜表面上，再沉积生长第二层有机半导体薄膜。其步骤如下：
1、在导电基底上制备绝缘介质层；
2、在绝缘介质层薄膜表面上沉积生长第一层有机半导体薄膜；
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