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磷化铟异质结双极型晶体管自对准发射极的制作方法

2006年 应用技术
  • 成果简介
本发明公开了一种InP HBT自对准发射极的制作方法，包括：
A、在InP HBT外延层结构表面涂敷负性光刻胶，对涂敷的负性光刻胶进行曝光、反转、显影处理，形成发射极窗口图形；
B、在InP HBT外延层结构表面蒸发/溅射发射极材料；
C、将负性光刻胶及其上方沉积的发射极材料从InP HBT外延层结构表面剥离，形成发射极；
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