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一种SOI基顶栅单电子晶体管及其制备方法

2006年 应用技术
  • 成果简介
本发明公开了一种绝缘体上硅SOI基顶栅单电子晶体管，该单电子晶体管包括：库仑岛、位于库仑岛两侧的源和漏、连接库仑岛与源和漏的两个隧道结、位于库仑岛上面的栅介质和多晶硅栅、源上沉积的源电极、漏上沉积的漏电极、以及顶栅上沉积的顶栅栅电极。本发明同时公开了一种 SOI基顶栅单电子晶体管的制作方法。利用本发明，大大提高了单电子晶体管的可靠性及与传统CMOS工艺的兼容性，简化了制作工艺、降低了制作成...
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