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背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器

2005年 应用技术
  • 成果简介
　　本发明涉及一种背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器，其具体特征在于，包括：一衬底；一成核层，该成核层生长在衬底上；一欧姆接触层，该欧姆接触层生长在成核层上；一有源层，该有源层生长在欧姆接触层上，该有源层的面积小于欧姆接触层的面积，位于欧姆接触层上面的一侧或中间；一欧姆电极，该欧姆电极制作在欧姆接触层上，位于欧姆接触层上面的另一侧或有源层的四周；一肖特基电极，该肖特基电极制作在有源层上，完成器件的...
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