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光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法

2005年 应用技术
  • 成果简介
  一种光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法,包括如下步骤:首先在GaN样品上表面生长一层二氧化硅层,作为刻蚀GaN材料的掩模层;在二氧化硅掩模上旋涂上一层光刻胶,需要是对所用激光感光的光刻胶;取一短波长激光器作为光源,将短波长激光器激光用扩束透镜扩束,扩束后的光再经会聚透镜聚焦,然后照射在光子微结构模板上,光子微结构模板在会聚透镜后,二者间距离ZT,该模板采用电子束曝光技术制作的模板,其上...
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