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半导体可饱和吸收镜及其制作方法

2005年 应用技术
  • 成果简介
一种半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；一多量子阱，采用低温生长技术该量子阱制作在布拉格反射镜上，该多量子阱由多对单量子阱构成，每对单量子阱包括：下垒层、吸收区和上垒层，该多量子阱起光吸收和光生载流子弛豫的作用；一介质膜，该介质膜制作在多量子阱的吸收区上，通过调整介质膜的反射率来...
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