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具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法

2005年 应用技术
  • 成果简介
本发明涉及半导体光器件技术领域，特别是一种具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法。步骤包括：(1)采用普通化学汽相淀积生长二氧化硅，在一次外延结构片顶层选择性产生用于量子阱混杂的镓空位；(2)金属有机化合物化学汽相淀积外延生长反向结的过程促使量子阱混杂区的镓空位向量子阱区扩散，实现量子混杂和带隙波长蓝移；(3)非混杂区在量子阱混杂的整个过程中受到很好的保护。本发明提出的掩埋异质结...
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