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一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法

2005年 应用技术
  • 成果简介
一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法，涉及半导体技术领域，利用应力补偿缓冲层在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜。该方法，1)首先在单晶硅衬底上沉积20纳米左右铝化的高温氮化铝缓冲层，然后在其上再沉积一层晶格常数远小于Ⅲ族氮化物的六方相物质（如低温氮化铝，氮化镓铝，氮化硼等），形成具有应力补偿作用的缓冲层结构；2)加入一种活化剂使应力补偿层易于在低温下形成，同时表面平整晶体质量高；3)预...
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