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大面积制备二氧化硅或者硅纳米线的控制生长方法

2005年 应用技术
  • 成果简介
一种大面积制备二氧化硅或者硅纳米线的控制生长方法，包括如下步骤：步骤1：在单晶硅片衬底上用物理气相沉积法、磁控溅射法或者化学气相沉积法沉积一层非晶态薄膜；步骤2：然后在密闭石英管反应腔内充入流动的N_2、Ar、或者N_2和H_2、Ar和H_2混合气体作为保护气体；步骤3：直接退火沉积有非晶态薄膜的单晶硅片，在硅衬底上长出大面积的二氧化硅/硅纳米线；步骤4：用光刻工艺和湿法刻蚀在沉积的非晶态...
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