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一种制备金属锆薄膜材料的方法

2004年 应用技术
  • 成果简介
本发明是制备金属锆薄膜材料的方法，属于半导体技术领域。该方法利用有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度不高的低成本氯化锆为原材料，在用单束的同位素纯低能氩离子轰击清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属锆离子束和氮离子束制备一层薄氮化锆作为阻挡衬底与锆离子发生界面反应的阻挡层和缓冲层，再用单束的同位素纯低能金属锆离子外延生长金属锆薄膜，通过准确控制锆离子束的能...
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