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双波导技术制作半导体激光器和模斑转换器的方法

2004年 应用技术
  • 成果简介
一种双波导技术制作半导体激光器和模斑转换器的方法，包括以下步骤：在n型磷化铟衬底上依次外延生长n型磷化铟缓冲层、下波导层、空间层、有源区和较薄的磷化铟本征层，磷化铟本征层可防止有源区的氧化；去掉最上面的磷化铟本征层，用SiO_2把激光器部分掩蔽，采用湿法腐蚀工艺刻出模斑转换器上脊形状；然后利用自对准工艺刻出下脊形状，该下脊形状包括下波导层、空间层；第二次生长p型磷化铟盖层和高掺杂p型铟镓砷...
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