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半导体晶片中埋入式电阻器的制作方法

2006年 应用技术
  • 成果简介
本发明提供一种在半导体晶片中埋入式电阻器的制作方法，具体是在半导体晶片上形成导电凸点的工艺过程中埋入式电阻器的制作方法。在工艺过程中增加一个要形成埋入式电阻器的区域中的多层导电层的顶层子金属层的刻蚀步骤，去除了顶层金属子层后的金属层的电阻率大于没有去除顶层金属子层的金属层的电阻率，由此在半导体晶片中形成电阻器，该电阻器在随后的工艺步骤中被钝化层覆盖，由此形成埋入式电阻器。所制成的埋入式电阻...
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