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高深宽比自对准接触刻蚀中减低接触电阻的方法

2006年 应用技术
  • 成果简介
本发明涉及一种在高深宽比自对准接触刻蚀中减低接触电阻的方法，该方法包括以下步骤：
a)利用包含低氟碳比的氟碳化合物的第一刻蚀气体，对半导体器件结构进行自对准刻蚀，形成接触孔；
b)对所形成的接触孔进行刻蚀后清洗；
c)利用包含高氟碳比的氟碳化合物的第二刻蚀气体，对所述接触孔进行第二次轻微刻蚀，除去接触孔底部残留的聚合物膜。
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