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用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法

2007年 应用技术
  • 成果简介
　　本发明涉及一种用于氮化镓外延生长的衬底材料及其制备方法，其特征在于所述材料为绝缘体上的硅材料或具有单晶硅－绝缘埋层－单晶硅的三层复合结构的衬底材料；顶层的硅被刻蚀成一个个独立的硅岛；硅岛之间的最小距离要大于外延氮化镓厚度的两倍；且独立硅岛的中心区域下的衬底硅和绝缘埋层被全部刻蚀掉，而其它部分的衬底硅和绝缘埋层给予保留，从而独立硅岛的中心区域悬空。本发明所得到的中心悬空的顶层硅岛为氮化镓外延生长...
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