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一种双工作模式有机场效应晶体管及制备方法

2006年 应用技术
  • 成果简介
　　本发明涉及有机场效应晶体管技术领域，公开一种双工作模式有机场效应晶体管及制备方法。包括衬底、栅极电极、绝缘层、插入半导体层、主体半导体层和源电极和漏电极。方法包括栅极金属的沉积；绝缘层的沉积；插入半导体层的沉积及有机主体半导体材料的沉积；器件测试。
　　本发明有机场效应晶体管可以通过控制插入半导体层的厚度来控制导电沟道的性质，可实现同一个有机场效应晶体管的耗尽型和增强型双模式同时操...
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