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大功率650nm量子阱半导体激光器及其制作方法

2006年 应用技术
  • 成果简介
　　一种大功率650nm量子阱半导体激光器的制作方法，包括如下步骤：
　　（1）激光器一次外延：在衬底上依次外延生长缓冲层、N型包层、有源区、第一P型包层、腐蚀阻挡层、第一P型包层和GaAs保护层；
　　（2）制作脊形波导：在GaAs保护层中间光刻出一窄条形，形成一条状的脊形波导结构；
　　（3）二次外延：在脊形波导及脊形波导两侧的腐蚀阻挡层上依次外延生长第二P...
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