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用于形成局域金属硅化物的工艺方法

2006年 应用技术
  • 成果简介
　　本发明公开了一种用于形成局域金属硅化物的工艺方法，其包含如下步骤：在一半导体硅片表面采用传统的工艺方法形成浅沟槽隔离，多晶硅栅极，侧墙及源/漏极等结构后，淀积二氧化硅膜层、介质膜层，以及光刻胶涂覆；形成光刻胶图形以及干法刻蚀去除介质膜层；去胶；湿法腐蚀去除未经介质膜层保护的二氧化硅膜层；溅射金属层以及热处理；湿法去除残留金属和介质膜。由于新工艺回避了现有工艺中形成光刻胶图形后需将光刻胶与预先淀...
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