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在半导体器件中实施铜连线的空隙工艺方法

2004年 应用技术
  • 成果简介
本发明公开了一种半导体器件中实施铜连线的工艺方法，在一层通孔和铜连线工艺以后，生长一层硅，在该基片上涂上光刻胶，用一块特殊光刻版做一次光刻；光刻后，应用干刻工艺，刻除上层的硅，剥去光刻胶；再应用各向同性的干刻方法，刻去缝隙孔中及孔间距的硅下面的铜线间介质；然后，用填空性差的USG将硅开孔封上；再淀积上层介质层，开始下一层通孔和铜连线工艺。本发明可以减少铜线横向间寄生电容，以减少对电路运行速...
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