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一种减小超大规模集成电路接触孔电阻的方法

2007年 应用技术
  • 成果简介
本发明公开了一种减小超大规模集成电路接触孔接触电阻的方法，采用难熔金属硅化物工艺，在接触孔底部生成难熔金属硅化物层，作为多晶体和单晶硅的接触面。其步骤包括：刻蚀接触孔、HF刻蚀、难熔金属膜溅射生长、第一次快速热处理(RTP#1)、选择性刻蚀、第二次快速热处理(RTP#2)。通过以上过程，在接触孔底部，即接触孔开出的多晶体和单晶硅表面生长出难熔金属硅化物层，从而达到减小接触电阻、加速器件响应...
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