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一种制造高压LCD驱动器件的前道工艺

2005年 应用技术
  • 成果简介
本发明公开了一种制造高压LCD驱动器件的前道工艺，包括：高压P阱注入、高压N阱注入、浅槽隔离结构的制备、高压DDD-P注入与低压N阱注入、高压DDD-B注入与低压P阱注入，用高压N阱光刻和高压DDD-B完成高压PMOS器件的制备，用高压P阱光刻和高压DDD-P完成高压NMOS器件的制备；其中高压DDD-P注入与低压N阱注入同时进行，进行一次光刻；高压DDD-B注入与低压P阱注入同时进行，进...
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