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大功率MOS管及其制作方法

2007年

应用技术

成果简介

本发明公开了一种大功率MOS管，包括电极和接触孔，所述接触孔包括穿过半导体器件中不同层面的通孔和所述通孔中的导电物质，在接触孔底部与电极相连接的导电物质为钴硅合金。本发明还公开了一种大功率MOS管的制作方法，在现有工艺形成接触孔之后，依次增加钴溅射、快速热退火、不反应的钴去除三个步骤。通过上述方法制作出的大功率MOS管，能够在小尺寸的条件下，使MOS管接触孔具有较小的电阻，并大大提高了大功...

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