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MOS场效应管及其制作方法

2007年 应用技术
  • 成果简介
本发明公开了一种MOS场效应管，该MOS管在其宽度方向的两端靠近浅沟道隔离区域和硅区域交界处的硅区域内的某处到浅沟道隔离区域和硅区域交界处的栅氧的厚度大于MOS管中间区域的栅氧厚度。本发明一种制作MOS场效应管的方法，在双栅氧刻蚀步骤中，只刻蚀掉低压MOS管硅区域中间部分的中压厚栅氧，保留MOS管宽度方向的两端靠近浅沟道隔离区域和硅区域交界处的硅区域内的某处到浅沟道隔离区域和硅区域交界处的...
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