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沟槽型MOS晶体管的制造方法

2006年 应用技术
  • 成果简介
　　本发明公开了一种沟槽型MOS晶体管的制造方法，旨在降低栅极和漏极间的电容，提高晶体管的开关速率。
　　该方法包括以下步骤：通过干法刻蚀形成深沟槽；在所述沟槽的底部和侧壁上进行一层牺牲氧化膜的生长；在所述沟槽的底部和侧壁的位置，使用高密度等离子沉积技术，再生长一层高密度等离子体氧化膜；使用药液去除所述沟槽侧壁上的氧化膜，该被去除的氧化膜包括牺牲氧化膜和高密度等离子体氧化膜；在所述沟槽...
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