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具有大压电常数和高电阻率的V掺杂ZnO薄膜材料

2008年 应用技术
  • 成果简介
  本发明公开了属于新材料领域的一种具有大的压电常数和高电阻率的ZnO薄膜材料。具有压电常数d33=55~110pC/N和高的电阻率ρ>1011Ω·cm的ZnO薄膜材料。
  本发明使用V掺杂对ZnO体系进行掺杂改性,由于掺杂后ZnO薄膜产生了铁电性,因而使得压电性能大幅度提高;此外c轴择优取向度提高,薄膜的点阵参数c变小,并且平均等效原子电荷数变大也都使得压电性比掺杂前有所提高。由于...
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