首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

d掺杂Si半导体微结构的同步辐射研究

2002年 基础理论
  • 成果简介
利用同步辐射X射线反射实验技术，测量、研究了Sb原子和Er原子在分子束外延过程中的偏析行为。结果表明在较低温度下Sb原子仍有较强的表面偏析，利用杂质原子高的覆盖度将引起表面结构的变化、从而引起表面偏析能的改变解释了这一表面偏析变强的实验现象；发现Er在Si中的偏析是动力学限制过程，并实验测量得到了其偏析激活能；对delta掺杂晶体热退火扩散行为的研究表明：掺Sb原子的晶体直到500℃下退火...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统