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光刻用硫化物半导体掩膜

2007年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
一种涂在光刻胶上的光刻用硫化物半导体掩膜，所述的硫化物半导体掩膜的材料为碲化锗、锗碲、银铟锑。本发明硫化物半导体掩膜材料由于材料的三阶非线性效应，能大大减小光斑或者刻蚀线宽，刻蚀点或刻蚀线宽是光斑衍射极限的1/3～1/6，比采用金属铟(In)(60%)的效果更明显，同时需要的激光功率也大大降低。...
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