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金刚石场效应晶体管

2007年

应用技术

初期阶段

成果简介

　　技术原理是用弧光放电等离子体CVD（化学气相沉淀）方法，在人造多晶金刚石半导体材料上制备出导电薄膜，而后通过传统的半导体工艺，在其导电薄膜上制造场效应晶体管。
　　主要技术性能指标：
　　1、在漏极电压40V，栅压-5V下，漏极电流245mA／mm
　　2、栅压在-1V～-2V下，跨导29mS／mm
　　3、击穿电压：21OV
　　4...

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