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一种绝缘层上硅结构及制备方法

2007年

应用技术

中期阶段

成果简介

　　本发明涉及一种绝缘体上硅结构及制备方法，属于微电子技术领域。其特征在于先后通过Al薄膜沉积、键合、离子注入，结合热处理等技术来制备以氮化铝或氧化铝或AlN、Al_2O_3、Si_3N_4或SiO_2中两种或多种复合层为埋层的SOI结构衬底材料，即先在硅片表面淀积Al薄膜，然后通过键合技术实现层转移，最后经N或O离子注入形成所需埋层材料。所制备的绝缘层上硅结构由三层构成，顶层为单晶硅层，厚度为2...

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