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纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法

2007年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
　　该发明涉及一种纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法。它是在硅衬底材料上先沉积底电极材料，然后沉积电介质材料，曝光，刻蚀成多孔状，孔径在50～200nm，间距2～5μm，接着向孔内沉积相变材料，化学机械抛光，覆盖掩模板，沉积上电极。于是薄膜就被掩膜板分成很多小单元，而每个单元大小差不多，引线，简单封装，每个单元内的小器件处于并联状态，然后测试每个单元的性能。此外，可以通过改变掩模板的大小，把...
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