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氮化镓基材料核心设备与生长技术

2007年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
项目设计并制造了一种新型金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)设备,并开发了用于该MOCVD设备全自动控制软件系统,研制的设备与软件均获得了自主知识产权。在自主知识产权的MOCVD设备上,研究开发了GaN基材料制备工艺,或的了高质量的GaN、AlN和AlGaN外延材料。并在本征外延材料制备技术的基础上,研究开发了GaN基微波功率器件和光电子器件应用相关材料的制备技术。
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