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脉冲激光沉积(PLD)β-FeSi2半导体外延膜

2007年

应用技术

初期阶段

成果简介

β-FeSi2是一种直接带隙半导体材料，能在硅表面外延，能与硅器件工艺相匹配，可利用成熟的硅器件工艺发展硅基近红外光源、探测器和太阳能电池等光电器件，进而为发展光电集成（OEIC）提供了可能。β-FeSi2的化学稳定温度高达937℃，有较强的防辐射、防潮、抗氧化和抗化学腐蚀性。更引人注目的是β-FeSi2的环保特性，Si、Fe元素资源丰富，在地壳中的储量分别为第2和第4，开发和使用以β-F...

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