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一维纳米SiC材料制备及场致电子发射性质研究

2007年 软科学
  • 成果简介
　　采用磁控溅射法在碳纳米管表面沉积Si原子后退火的模板技术成功制备了SiC纳米线，发展了一种碳纳米管模板法制备SiC纳米线的方法。初步实现了通过控制催化剂厚度、预处理时间、温度等参数对碳纳米管的可控生长，由此达到对SiC纳米线的可控生长。研究了SiC纳米线场发射性能，得到场发射开启电场为0.5V/μm，阈值电场为1.0V/μm，估算了其场增强因子约为124。对比发现，在SiC纳米线定向性不好的情...
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