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多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置

2007年 应用技术
  • 成果简介
项目简介：
专利号02137784.7
在半导体材料多晶硅的生产中，必须先在氢还原炉中设置硅棒，然后制得的产品多晶硅。这种硅棒的初始直径很细，一般为5～10mm，经氢还原，硅在硅棒上沉积，硅棒的最终直径越来越大，最粗可达200mm。
目前，在半导体材料多晶硅生产中，采用的氢还原炉的进气口的截面积是固定的，只能适用于物料流量变化较小的小产率...
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