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快闪存储单元及其制造方法

2007年 应用技术
  • 成果简介
　　专利号：ZL02123441.8。
　　快闪存储单元及其制造方法属于快闪存储器技术领域，其特征在于，它含有：一p型半导体衬底及所述衬底中的p阱；一隧穿薄氧化层，位于该半导体衬底上；一叠栅结构，位于隧穿薄氧化层上，它包括浮栅和控制栅，其中浮栅通过二氧化硅/氮化硅/二氧化硅复合介质层与控制栅隔离；一源极区，位于所述叠栅结构的第一边缘处的衬底中，它由一个低浓度磷注入且延伸到浮栅下的n-...
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