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一种有机薄膜场效应晶体管及其制备方法

2007年 应用技术
  • 成果简介
　　专利号：ZL01134676.0
　　本发明提供了一种有机薄膜场效应晶体管及其制备方法。该器件包括靠近基片梳形平行的第一电极和第二电极，远离基片的第三电极，以及夹在所述第一、第二电极和第三电极之间的有机半导体层和绝缘层。该制备方法中的绝缘层采用具有良好绝缘性能的有机材料，通过全蒸镀法正向制备有机薄膜场效应晶体管，从而有效增大了晶体管的饱和电流，缩小了晶体管面积。...
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