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用PLD方法制备的具有正巨磁阻效应的钴碳薄膜材料

2007年

应用技术

成果简介

　　专利号：ZL02153786.0
　　本发明公开了属于磁学量传感器材料的一种用PLD方法制备的具有室温正巨磁阻效应的钴碳薄膜材料。是在Si(100)基片上，用不同比例的Co-C复合冷压靶材，在3Pa氩气条件下，利用PLD方法在一定温度下沉积得Co-C薄膜。在同样制备条件下，不同靶材成分，其薄膜厚度不同，薄膜厚度约为：60nm～100nm。该材料在温度为300K、外加磁场为1...

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