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InN材料及其太阳能电池应用

2007年 应用技术
  • 成果简介
　　近几年来Ⅲ族氮化物半导体材料最重要的发现是对InN本征带隙的重新认识，InN材料的能隙不再是以前认为的1.9ev而是0.7ev。这一发现极大地激发了人们的研究热情，因为本征带隙的减小使得InN的发光波长达到了1.55祄，这样人们就可以用Ⅲ族氮化物材料通过生长组分连续变化覆盖从紫外到红外的范围，一直延伸到长波光通信波段。使光通信器件制备可选用的材料得到更大的丰富，同时以其独特的优良特性为光通讯器...
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