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宽带波长可调谐半导体激光器的研究与开发

2007年

应用技术

成果简介

本课题研究了四种基于InP材料的单片集成技术（量子阱混杂技术；选区外延生长和量子阱混杂相结合技术；1.3μm的体材料捆绑波导结构（集束波导结构）；1.4μm的InGaAsP的下波导耦合结构），实现了基于InP衬底的较灵活的能带剪裁，为光电子器件的多功能单片集成打下了基础；采用量子阱混杂技术（专利受理号200410073859.1），成功地实现了75nm的量子阱带隙波长蓝移量，在此基础上实现...

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