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自主创新WDM集成解复用光探测器和关键工艺研究

2007年

应用技术

成果简介

在本项目实施过程中，取得了以下的成果：
1、发明了一种新型腐蚀液，并且利用可控自推移动态掩膜湿法刻蚀技术在InP基的外延层上制作成功了倾角可控的各种楔形结构。制备成功的InP基楔形结构的倾角范围为0.5°～49.0°，表面粗糙度小于1.65nm。
2、发明了一种可用于GaAs/InP基材料之间低温、高质量晶片键合的简便且无毒性的新型表面化学处理工艺。...

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