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晶片高精密研磨和抛光新技术的研究

2000年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
该项成果从摩擦学的角度出发，计算模拟了研抛的运动规律，获得了运动参数对晶片研抛的影响规律，基于弹性力学接触理论建立了研抛的接触力学模型，采用数值分析的方法获得了研抛的压力场分布形态，首次提出了均衡式材料去除工艺理论，设计了改变接触区域压强分布和负载方式的三种新装置。实现了晶片的高精密加工，对现行加工工艺，特别是对大尺寸硅片的超精密加工具有重要的理论指导意义。...
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