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CMOS高压智能功率集成技术研究

2007年

应用技术

成果简介

本课题通过对CMOS高压智能集成电路设计和工艺技术相关内容的研究，设计制造出国内第一块耐压达660V、大功率（50瓦）、高低压兼容、数模混合CMOS工艺实现的PWM(脉宽调制）开关电源芯片。其主要技术指标均达到设计要求，除耐压尚有40V差距外；技术水平达到国内领先水平。同时与上海贝岭合作开发的国内第一条660V高压功率IC生产线也为今后加工制作各种具有自主知识产权的国产高压智能功率IC产品...

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