国家科技成果网
热门搜索:  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

国家科技成果网 首页 成果 查看内容

深紫外曝光系统(Ⅰ型)

2000年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
该项目适用于中小规模集成电路研制和生产,具有分辨率高、套刻准、线条徒直、线条高宽比大(孤立线条最高可达60:1,间距线条可超过20:1),曝光速度快(60μm厚、SU8胶、曝光时间10分钟),曝光面可达110mm×110mm,自动化程度和可靠性高等特点。
该机具有g线i线多种功能,光学系统采用特殊的消衍射和线条陡直增强技术,采用微机控制,并配备了双目视对准显微镜及CCD...
相关成果

标签云

相关机构

Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位:科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统