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深亚微米集成电路生产技术的研究开发

2006年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　经过两年时间的项目开发，宏力公司在Model-Based OPC技术平台的开发与应用、分栅自对准标准闪存单元尺寸的持续缩小、深亚微米后端工艺的开发与改进等关键技术上取得了突破。其中Model-Based OPC平台与原有Rule-Based OPC平台相比可提供更优异的关键尺寸均匀度，典型线端缩短可从30nm减少到5nm，有力保证了芯片实际图案与设计图案的一致。另外在分栅自对准闪存器件模型的指...
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